ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > EPC2016
EPC2016
EPC2016
รุ่นผลิตภัณฑ์:
EPC2016
ผู้ผลิต:
EPC
ลักษณะ:
TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
17206 Pieces
แผ่นข้อมูล:
EPC2016.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ EPC2016 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา EPC2016 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ EPC2016 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 3mA
เทคโนโลยี:GaNFET (Gallium Nitride)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:Die
ชุด:eGaN®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:16 mOhm @ 11A, 5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):-
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:Die
ชื่ออื่น:917-1027-2
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 125°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:EPC2016
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:520pF @ 50V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:5.2nC @ 5V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 100V 11A (Ta) Surface Mount Die
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):100V
ลักษณะ:TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:11A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ EPC2016

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
EPC2012CENGR Image EPC2012CENGR EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2019ENG Image EPC2019ENG EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2001C Image EPC2001C EPC TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2016C Image EPC2016C EPC TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2015C Image EPC2015C EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2014 Image EPC2014 EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE การสอบสวน
EPC2019 Image EPC2019 EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2010CENGR Image EPC2010CENGR EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2038ENGR Image EPC2038ENGR EPC TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2012 Image EPC2012 EPC TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2015 Image EPC2015 EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2015CENGR Image EPC2015CENGR EPC TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2010 Image EPC2010 EPC TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2012C Image EPC2012C EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2018 Image EPC2018 EPC TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2010C Image EPC2010C EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2024ENG Image EPC2024ENG EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2014C Image EPC2014C EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE การสอบสวน

ข่าว Latest