ซื้อ DMTH6010SCT กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
DMTH6010SCT
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- DMTH6010SCT
- ผู้ผลิต:
- Diodes Incorporated
- ลักษณะ:
- MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 16250 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- DMTH6010SCT.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ DMTH6010SCT เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา DMTH6010SCT ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (สูงสุด): | ±20V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-220-3 |
| ชุด: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 7.2 mOhm @ 20A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 2.8W (Ta), 125W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-220-3 |
| ชื่ออื่น: | DMTH6010SCTDI-5 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | DMTH6010SCT |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 1940pF @ 30V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 36.3nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 60V 100A (Tc) 2.8W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 60V |
| ลักษณะ: | MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ DMTH6010SCT
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
DMTH6016LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI | การสอบสวน |
|
DMTH6010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 13.5A | การสอบสวน |
|
DMTH6010LPD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI | การสอบสวน |
 |
DMTH6010LK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252 | การสอบสวน |
|
DMTH6010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252 | การสอบสวน |
|
DMTH6010LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506 | การสอบสวน |
|
DMTH6010SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 16.3A | การสอบสวน |
|
DMTH6010LPDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI | การสอบสวน |
|
DMTH6016LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI | การสอบสวน |
 |
DMTH6010SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 16.3A TO252 | การสอบสวน |
 |
DMTH6016LSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET ARRAY N-CH 60V 7.6A 8SOIC | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers