ซื้อ DMS3014SSS-13 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
DMS3014SSS-13
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- DMS3014SSS-13
- ผู้ผลิต:
- Diodes Incorporated
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 17693 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- DMS3014SSS-13.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ DMS3014SSS-13 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา DMS3014SSS-13 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (สูงสุด): | ±12V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-SO |
| ชุด: | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 13 mOhm @ 10.4A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 1.55W (Ta) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ชื่ออื่น: | DMS3014SSS-13DITR DMS3014SSS13 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 16 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | DMS3014SSS-13 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 2296pF @ 15V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 45.7nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | Schottky Diode (Body) |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 30V 10.4A (Ta) 1.55W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 30V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 10.4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ DMS3014SSS-13
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
DMS3016SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO | การสอบสวน |
 |
BUK761R3-30E,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK | การสอบสวน |
 |
DMS3014SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 9.5A POWERDI | การสอบสวน |
|
DMS3017SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SO | การสอบสวน |
|
DMS3012SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI | การสอบสวน |
|
DMS3016SSSA-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 9.8A SO-8 | การสอบสวน |
|
DMS3012SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8 | การสอบสวน |
|
DMS3016SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8 | การสอบสวน |
|
DMS3015SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 11A 8SO | การสอบสวน |
|
DMS3019SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers