DMG2307L-7
DMG2307L-7
รุ่นผลิตภัณฑ์:
DMG2307L-7
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
15557 Pieces
แผ่นข้อมูล:
DMG2307L-7.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ DMG2307L-7 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา DMG2307L-7 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ DMG2307L-7 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SOT-23
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:90 mOhm @ 2.5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):760mW (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ชื่ออื่น:DMG2307L-7DITR
DMG2307L7
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:DMG2307L-7
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:371.3pF @ 15V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:8.2nC @ 10V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:P-Channel 30V 2.5A (Ta) 760mW (Ta) Surface Mount SOT-23
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):30V
ลักษณะ:MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:2.5A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ