DBD250G - ON Semiconductor - ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ DBD250G - BYCHIPS

DBD250G

รุ่นผลิตภัณฑ์:: DBD250G

ผู้ผลิต:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

ลักษณะ:: DIODE BRIDGE 1PH 25A 600V SIP

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 19235 Pieces

แผ่นข้อมูล:: DBD250G.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ DBD250G เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา DBD250G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ DBD250G กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด):	600V
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก:	1.05V @ 12.5A
เทคโนโลยี:	Standard
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	-
ชุด:	-
บรรจุภัณฑ์:	Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	4-SIP
อุณหภูมิในการทำงาน:	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:	Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	DBD250G
ขยายคำอธิบาย:	Bridge Rectifier Single Phase 600V 6A Through Hole
ประเภทไดโอด:	Single Phase
ลักษณะ:	DIODE BRIDGE 1PH 25A 600V SIP
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	10µA @ 600V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ):	6A
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ DBD250G

ภาพ	รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
	KBP08M-M4/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECT BRIDGE 1.5A 800V KBPM	การสอบสวน
	GBPC3501W	Fairchild/ON Semiconductor	RECT BRIDGE GPP 35A 100V GBPC-W	การสอบสวน
	UC2610NG4	Texas Instruments	IC SCHOTTKY DIODE BRIDGE 8-DIP	การสอบสวน
	G5SBA60-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 6A 600V GBU	การสอบสวน
	GBPC5004T	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 400V 50A GBPC-T/W	การสอบสวน
	KBPM208G	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 800V 2A KBPM	การสอบสวน
	60MT120KB	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECT BRIDGE 1200V 60A MTK	การสอบสวน
	GBPC5006-G	Comchip Technology	RECT BRIDGE GPP 600V 50A GBPC	การสอบสวน

ข่าว Latest