CSD19506KCS
รุ่นผลิตภัณฑ์:
CSD19506KCS
ผู้ผลิต:
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 80V TO-220-3
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
17083 Pieces
แผ่นข้อมูล:
CSD19506KCS.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ CSD19506KCS เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา CSD19506KCS ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ CSD19506KCS กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3.2V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-220-3
ชุด:NexFET™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:2.3 mOhm @ 100A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):375W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-220-3
ชื่ออื่น:296-37169-5
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:20 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:CSD19506KCS
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:12200pF @ 40V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:156nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 80V 100A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):6V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):80V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 80V TO-220-3
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:100A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ