ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > CSD13202Q2
CSD13202Q2
รุ่นผลิตภัณฑ์:
CSD13202Q2
ผู้ผลิต:
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 12V 76A 6SON
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
19968 Pieces
แผ่นข้อมูล:
CSD13202Q2.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ CSD13202Q2 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา CSD13202Q2 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ CSD13202Q2 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1.1V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±8V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:6-WSON (2x2)
ชุด:NexFET™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:9.3 mOhm @ 5A, 4.5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):2.7W (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:6-VDFN Exposed Pad
ชื่ออื่น:296-38911-2
CSD13202Q2-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:14 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:CSD13202Q2
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:997pF @ 6V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:6.6nC @ 4.5V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 12V 22A (Ta) 2.7W (Ta) Surface Mount 6-WSON (2x2)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):12V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 12V 76A 6SON
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:22A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ CSD13202Q2

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
CSD13302W Texas Instruments MOSFET N-CH 12V 1.6A การสอบสวน
CSD13380F3T Texas Instruments 12V N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET การสอบสวน
CSD13201W10 Texas Instruments MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA การสอบสวน
CSD13306W Texas Instruments MOSFET N-CH 12V 3.5A การสอบสวน
SI7423DN-T1-GE3 Image SI7423DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8 การสอบสวน
STB190NF04T4 Image STB190NF04T4 STMicroelectronics MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK การสอบสวน
CSD13380F3 Texas Instruments MOSFET N-CH 12V 3.6A PICOSTAR การสอบสวน
CSD13383F4T Texas Instruments MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR การสอบสวน
CSD13385F5T Texas Instruments 12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE การสอบสวน
CSD13381F4T Texas Instruments MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR การสอบสวน
CSD13383F4 Texas Instruments MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR การสอบสวน
RSH110N03TB1 Image RSH110N03TB1 Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 การสอบสวน
CSD13303W1015 Texas Instruments MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA การสอบสวน
CSD13306WT Texas Instruments MOSFET N-CH 12V 6DSBGA การสอบสวน
CSD13302WT Texas Instruments CHANNEL NEXFET POWER MOSFET การสอบสวน
SIRC16DP-T1-GE3 Image SIRC16DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 60A SO8 การสอบสวน
CSD13385F5 Texas Instruments MOSFET N-CH 12V 7.1A PICOSTAR การสอบสวน
CSD13381F4 Texas Instruments MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR การสอบสวน

ข่าว Latest