ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF > CGH09120F
CGH09120F
CGH09120F
รุ่นผลิตภัณฑ์:
CGH09120F
ผู้ผลิต:
Cree
ลักษณะ:
RF MOSFET HEMT 28V 440095
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
14887 Pieces
แผ่นข้อมูล:
CGH09120F.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ CGH09120F เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา CGH09120F ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ CGH09120F กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:28V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:84V
ประเภททรานซิสเตอร์:HEMT
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:440095
ชุด:GaN
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:120W
บรรจุภัณฑ์:Tray
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:440095
เสียงรบกวนเต็มตัว:-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:CGH09120F
ได้รับ:21.5dB
ความถี่:2.5GHz
ขยายคำอธิบาย:RF Mosfet HEMT 28V 1.2A 2.5GHz 21.5dB 120W 440095
ลักษณะ:RF MOSFET HEMT 28V 440095
พิกัดกระแส:-
ปัจจุบัน - การทดสอบ:1.2A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ CGH09120F

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
MMRF1013HSR5 Image MMRF1013HSR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 2.9GHZ การสอบสวน
MRF5P20180HR6 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230 การสอบสวน
BF1109R,215 Image BF1109R,215 NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 11V 30MA SOT143R การสอบสวน
A2T07D160W04SR3 NXP USA Inc. FET RF 2CH 70V 803MHZ การสอบสวน
MRF8S18210WHSR3 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.93GHZ NI880XS2 การสอบสวน
MAGX-000035-010000 Image MAGX-000035-010000 M/A-Com Technology Solutions TRANSISTOR GAN 10WCW 0.03-3.5GHZ การสอบสวน
MRF5S9100MR1 Image MRF5S9100MR1 NXP USA Inc. FET RF 68V 880MHZ TO-270-4 การสอบสวน

ข่าว Latest