CE3514M4 - CEL - ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF CE3514M4 - BYCHIPS

CE3514M4

รุ่นผลิตภัณฑ์:: CE3514M4

ผู้ผลิต:: CEL (California Eastern Laboratories)

ลักษณะ:: RF FET 4V 12GHZ SOT343

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 13714 Pieces

แผ่นข้อมูล:: CE3514M4.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ CE3514M4 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา CE3514M4 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ CE3514M4 กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:	2V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:	4V
ประเภททรานซิสเตอร์:	pHEMT FET
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	4-Super Mini Mold
ชุด:	-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:	125mW
บรรจุภัณฑ์:	Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	4-SMD, Flat Leads
เสียงรบกวนเต็มตัว:	0.62dB
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:	19 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	CE3514M4
ได้รับ:	12.2dB
ความถี่:	12GHz
ขยายคำอธิบาย:	RF Mosfet pHEMT FET 2V 10mA 12GHz 12.2dB 125mW 4-Super Mini Mold
ลักษณะ:	RF FET 4V 12GHZ SOT343
พิกัดกระแส:	15mA
ปัจจุบัน - การทดสอบ:	10mA
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ CE3514M4

ภาพ	รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
	CE3514M4-C2	CEL	RF MOSFET PHEMT FET 2V SOT343	การสอบสวน
	MRF6S23100HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 68V 2.4GHZ NI-780S	การสอบสวน
	MRF8S9232NR3	NXP USA Inc.	FET RF 70V 960MHZ OM780-2	การสอบสวน
	PTVA093002NDV1R5XUMA1	Infineon Technologies	IC RF FET LDMOS 300W PG-HB1SOF-4	การสอบสวน
	AFV141KHR5	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS	การสอบสวน
	PD85015-E	STMicroelectronics	FET RF 40V 870MHZ	การสอบสวน
	2N5486_D27Z	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 20MA TO92	การสอบสวน
	MRF9085LSR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 880MHZ NI-780S	การสอบสวน
	BLF188XRU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539A	การสอบสวน
	CE3512K2	CEL	RF FET 4V 12GHZ 4MICROX	การสอบสวน
	CE3512K2-C1	CEL	RF FET 4V 12GHZ 4MICROX	การสอบสวน
	PTAC210802FCV1XWSA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	การสอบสวน

ข่าว Latest