C3M0280090J
C3M0280090J
รุ่นผลิตภัณฑ์:
C3M0280090J
ผู้ผลิต:
Cree
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 900V 11A
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
12316 Pieces
แผ่นข้อมูล:
C3M0280090J.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ C3M0280090J เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา C3M0280090J ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ C3M0280090J กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3.5V @ 1.2mA
Vgs (สูงสุด):+18V, -8V
เทคโนโลยี:SiCFET (Silicon Carbide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:D2PAK-7
ชุด:C3M™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:360 mOhm @ 7.5A, 15V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):50W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:C3M0280090J
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:150pF @ 600V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:9.5nC @ 15V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 900V 11A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):15V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):900V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 900V 11A
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:11A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ