ซื้อ BSZ0909NSATMA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
BSZ0909NSATMA1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- BSZ0909NSATMA1
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 14560 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- BSZ0909NSATMA1.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ BSZ0909NSATMA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา BSZ0909NSATMA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (สูงสุด): | ±20V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TSDSON-8 |
| ชุด: | OptiMOS™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 12 mOhm @ 20A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 2.1W (Ta), 25W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-PowerTDFN |
| ชื่ออื่น: | BSZ0909NS BSZ0909NS-ND BSZ0909NSTR-ND SP000832568 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | BSZ0909NSATMA1 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 1310pF @ 15V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 34V 9A (Ta), 36A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 34V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 9A (Ta), 36A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BSZ0909NSATMA1
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
BSZ0901NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | การสอบสวน |
 |
SI4892DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC | การสอบสวน |
|
BSZ0902NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | การสอบสวน |
|
BSZ097N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 | การสอบสวน |
|
BSZ096N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | การสอบสวน |
 |
IPS050N03LGAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3 | การสอบสวน |
|
BSZ0902NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 | การสอบสวน |
 |
BSZ097N04LS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | การสอบสวน |
 |
BSZ0909NDXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 20A 8WISON | การสอบสวน |
|
BSZ0904NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | การสอบสวน |
 |
BUK9240-100A,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 33A DPAK | การสอบสวน |
|
BSZ0901NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V S308 | การสอบสวน |
|
BSZ099N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers