ซื้อ BLM8G0710S-60PBY กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
BLM8G0710S-60PBY
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- BLM8G0710S-60PBY
- ผู้ผลิต:
- Ampleon
- ลักษณะ:
- RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตามข้อกำหนดของ RoHS โดยได้รับการยกเว้น
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 12996 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- BLM8G0710S-60PBY.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ BLM8G0710S-60PBY เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา BLM8G0710S-60PBY ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 28V |
|---|---|
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 65V |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | LDMOS (Dual) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 16-HSOPF |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท: | 6W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SOT-1211-2 |
| ชื่ออื่น: | 934069667518 BLM8G0710S-60PBY-ND |
| เสียงรบกวนเต็มตัว: | - |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 13 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | BLM8G0710S-60PBY |
| ได้รับ: | 36.2dB |
| ความถี่: | 957.5MHz |
| ขยายคำอธิบาย: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 60mA 957.5MHz 36.2dB 6W 16-HSOPF |
| ลักษณะ: | RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12112 |
| พิกัดกระแส: | - |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ: | 60mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BLM8G0710S-60PBY
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
BLM8G0710S-15PBY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12112 | การสอบสวน |
 |
BLM8G0710S-45ABY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112 | การสอบสวน |
 |
BLM8G0710S-45ABGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12122 | การสอบสวน |
 |
BLM8G0710S-60PBGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12122 | การสอบสวน |
 |
BLM8G0710S-15PBGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122 | การสอบสวน |
|
BLM8G0710S-30PBY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers