ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF > BLF988S,112
BLF988S,112
BLF988S,112
รุ่นผลิตภัณฑ์:
BLF988S,112
ผู้ผลิต:
Ampleon
ลักษณะ:
RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18597 Pieces
แผ่นข้อมูล:
BLF988S,112.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ BLF988S,112 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา BLF988S,112 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ BLF988S,112 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:50V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:110V
ประเภททรานซิสเตอร์:LDMOS (Dual), Common Source
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:LDMOST
ชุด:-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:250W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT539B
ชื่ออื่น:934066287112
เสียงรบกวนเต็มตัว:-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:13 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:BLF988S,112
ได้รับ:20.8dB
ความถี่:860MHz
ขยายคำอธิบาย:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 1.3A 860MHz 20.8dB 250W LDMOST
ลักษณะ:RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B
พิกัดกระแส:-
ปัจจุบัน - การทดสอบ:1.3A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BLF988S,112

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
MRFE6S9160HR3 Image MRFE6S9160HR3 NXP USA Inc. FET RF 66V 880MHZ NI-780 การสอบสวน
BLF578XR,112 Image BLF578XR,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539A การสอบสวน
BLF6G20-230P NXP USA Inc. IC BASESTATION FINAL SOT502A การสอบสวน
MRF6V3090NR1 Image MRF6V3090NR1 NXP USA Inc. FET RF 110V 860MHZ TO270-4 การสอบสวน
BLP05H6150XRGY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 การสอบสวน
PTFA210701EV4XWSA1 Image PTFA210701EV4XWSA1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 การสอบสวน
PXAC261002FCV1R0XTMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS H-37248-4 การสอบสวน
MRFG35005NT1 Image MRFG35005NT1 NXP USA Inc. FET RF 15V 3.55GHZ 1.5PLD การสอบสวน
BLF988,112 Image BLF988,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A การสอบสวน
MRF5S9101MR1 Image MRF5S9101MR1 NXP USA Inc. FET RF 68V 960MHZ TO2704 การสอบสวน
A2T21H360-24SR6 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS การสอบสวน
BLL8H1214L-250U Image BLL8H1214L-250U Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A การสอบสวน
BF2040RE6814HTSA1 Image BF2040RE6814HTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143R การสอบสวน
MRF8S9202NR3 NXP USA Inc. FET RF 70V 920MHZ OM780-2 การสอบสวน

ข่าว Latest