BF991,215 - NXP USA Inc. - ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF BF991,215

BF991,215

รุ่นผลิตภัณฑ์:: BF991,215

ผู้ผลิต:: NXP Semiconductors / Freescale

ลักษณะ:: MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 13246 Pieces

แผ่นข้อมูล:: BF991,215.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ BF991,215 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา BF991,215 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ BF991,215 กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:	10V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:	20V
ประเภททรานซิสเตอร์:	N-Channel Dual Gate
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	SOT-143B
ชุด:	-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:	-
บรรจุภัณฑ์:	Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	TO-253-4, TO-253AA
ชื่ออื่น:	568-1970-2 933642000215 BF991 T/R BF991215
เสียงรบกวนเต็มตัว:	0.7dB
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	BF991,215
ได้รับ:	29dB
ความถี่:	100MHz
ขยายคำอธิบาย:	RF Mosfet N-Channel Dual Gate 10V 10mA 100MHz 29dB SOT-143B
ลักษณะ:	MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B
พิกัดกระแส:	20mA
ปัจจุบัน - การทดสอบ:	10mA
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BF991,215

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
BLP8G21S-160PVY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211	การสอบสวน
MRF5S19130HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S	การสอบสวน
NE5511279A-T1-A	CEL	FET RF 20V 900MHZ 79A-PKG	การสอบสวน
PTFB241402FV1R250XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	การสอบสวน
BF909A,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH SOT-143B	การสอบสวน
PD85035C	STMicroelectronics	FET RF 40V 945MHZ M243	การสอบสวน
MRF136	M/A-Com Technology Solutions	FET RF 65V 400MHZ 211-07	การสอบสวน
PTFA210701EV4R250XTMA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest