B6S-G - Comchip Technology - ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ B6S-G - BYCHIPS

B6S-G

รุ่นผลิตภัณฑ์:: B6S-G

ผู้ผลิต:: Comchip Technology

ลักษณะ:: RECT BRIDGE GPP 600V 0.8A MBS

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 17863 Pieces

แผ่นข้อมูล:: B6S-G.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ B6S-G เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา B6S-G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ B6S-G กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด):	600V
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก:	1.1V @ 800mA
เทคโนโลยี:	Standard
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	MBS
ชุด:	-
บรรจุภัณฑ์:	Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	TO-269AA, 4-BESOP
ชื่ออื่น:	641-1335-6
อุณหภูมิในการทำงาน:	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:	Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:	10 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	B6S-G
ขยายคำอธิบาย:	Bridge Rectifier Single Phase 600V 800mA Surface Mount MBS
ประเภทไดโอด:	Single Phase
ลักษณะ:	RECT BRIDGE GPP 600V 0.8A MBS
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	5µA @ 600V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ):	800mA
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ B6S-G

ภาพ	รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
	DF04M	Fairchild/ON Semiconductor	IC RECT BRIDGE 400V 1.5A 4DIP	การสอบสวน
	GBU4G-M3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT GPP 4A 400V GBU	การสอบสวน
	GBPC2508W-G	Comchip Technology	RECTIFIER BRIDGE 25A 800V GBPCW	การสอบสวน
	3N254	Fairchild/ON Semiconductor	RECTIFIER BRIDGE 100V 2A KBPM	การสอบสวน
	60MT140KB	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECT BRIDGE 1400V 60A MTK	การสอบสวน
	VS-36MT20	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECT BRIDGE 3-PHA 200V 35A D63	การสอบสวน
	CBRHD-06 BK	Central Semiconductor Corp	IC RECT BRIDGE 600V 0.5A HD DIP	การสอบสวน
	GBPC2501T	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 100V 25A GBPC-T/W	การสอบสวน
	GBJ1004-G	Comchip Technology	BRIDGE DIODE 10A 400V GBJ	การสอบสวน
	DBD10G-TM-E	ON Semiconductor	DIODE BRIDGE 1PH 1A 600V 4SMD	การสอบสวน
	B6S-HF	Comchip Technology	DIODE BRIDGE 600V 0.8A MBS	การสอบสวน
	VJ247M	Microsemi Corporation	DIODE AVALANCHE BRIDGE 250V	การสอบสวน

ข่าว Latest