ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล > APT47GA60JD40
APT47GA60JD40
APT47GA60JD40
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT47GA60JD40
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
IGBT 600V 87A 283W SOT-227
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
12286 Pieces
แผ่นข้อมูล:
APT47GA60JD40.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ APT47GA60JD40 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา APT47GA60JD40 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT47GA60JD40 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):600V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:2.5V @ 15V, 47A
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:ISOTOP®
ชุด:POWER MOS 8™
เพาเวอร์ - แม็กซ์:283W
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-227-4, miniBLOC
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
กทช Thermistor:No
ประเภทการติดตั้ง:Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:APT47GA60JD40
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE:6.32nF @ 25V
อินพุต:Standard
ประเภท IGBT:PT
ขยายคำอธิบาย:IGBT Module PT Single 600V 87A 283W Chassis Mount ISOTOP®
ลักษณะ:IGBT 600V 87A 283W SOT-227
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):275µA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):87A
องค์ประกอบ:Single
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT47GA60JD40

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT47F60J Image APT47F60J Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 การสอบสวน
APTGT400A120G Microsemi Corporation IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP6 การสอบสวน
APT47N60BC3G Image APT47N60BC3G Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 การสอบสวน
APT47N60SC3G Image APT47N60SC3G Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK การสอบสวน
QID1210005 Powerex Inc. MOD IGBT 1200V 100A SPLIT SI/SIC การสอบสวน
APT47N65BC3G Image APT47N65BC3G Microsemi Corporation MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 การสอบสวน
APTGT50DH60TG Microsemi Corporation IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 การสอบสวน
MIO1800-17E10 IXYS MOD IGBT SGL SWITCH 1700V E10 การสอบสวน
APT47M60J Image APT47M60J Microsemi Corporation MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 การสอบสวน
APTGT75DA60T1G Image APTGT75DA60T1G Microsemi Corporation POWER MOD IGBT 600V 100A SP1 การสอบสวน
APT47N65SCS3G Microsemi Corporation MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 การสอบสวน

ข่าว Latest