ซื้อ A2T21S260-12SR3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
A2T21S260-12SR3
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- A2T21S260-12SR3
- ผู้ผลิต:
- NXP Semiconductors / Freescale
- ลักษณะ:
- IC TRANS RF LDMOS
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 15633 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- A2T21S260-12SR3.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ A2T21S260-12SR3 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา A2T21S260-12SR3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 28V |
|---|---|
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 65V |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | LDMOS |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | NI-780-2S2L |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท: | 65W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | NI-780-2S2L |
| ชื่ออื่น: | 935320716128 |
| เสียงรบกวนเต็มตัว: | - |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 10 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | A2T21S260-12SR3 |
| ได้รับ: | 18.7dB |
| ความถี่: | 2.17GHz |
| ขยายคำอธิบาย: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.2A 2.17GHz 18.7dB 65W NI-780-2S2L |
| ลักษณะ: | IC TRANS RF LDMOS |
| พิกัดกระแส: | - |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ: | 1.2A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ A2T21S260-12SR3
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
A2T21S160-12SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | การสอบสวน |
 |
MMRF1318NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 450MHZ | การสอบสวน |
|
A2T21H410-24SR6 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | การสอบสวน |
 |
BLS6G2731-6G,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 60V 15DB SOT975C | การสอบสวน |
 |
BLF6H10LS-160,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467B | การสอบสวน |
|
A2T21H100-25SR3 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS TRANS CELL | การสอบสวน |
 |
PTFB211503ELV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-33288-6 | การสอบสวน |
 |
BLF7G27L-90P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121A | การสอบสวน |
 |
PD85004 | STMicroelectronics | FET RF 40V 870MHZ | การสอบสวน |
|
ON5441,518 | NXP USA Inc. | MOSFET RF 20SOIC | การสอบสวน |
|
BLF1820-90,112 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A | การสอบสวน |
 |
MAGX-001214-250L00 | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR GAN 250W 1.2-1.4GHZ | การสอบสวน |
 |
MRFE6S9135HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 66V 940MHZ NI-880 | การสอบสวน |
|
A2T21H360-24SR6 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers