ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF > A2I25D025NR1
A2I25D025NR1
A2I25D025NR1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
A2I25D025NR1
ผู้ผลิต:
NXP Semiconductors / Freescale
ลักษณะ:
IC TRANS RF LDMOS
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
14251 Pieces
แผ่นข้อมูล:
1.A2I25D025NR1.pdf2.A2I25D025NR1.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ A2I25D025NR1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา A2I25D025NR1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ A2I25D025NR1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:28V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:65V
ประเภททรานซิสเตอร์:LDMOS (Dual)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-270WB-17
ชุด:-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:3.2W
บรรจุภัณฑ์:Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-270-17 Variant, Flat Leads
ชื่ออื่น:A2I25D025NR1DKR
เสียงรบกวนเต็มตัว:-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):3 (168 Hours)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:10 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:A2I25D025NR1
ได้รับ:31.9dB
ความถี่:2.69GHz
ขยายคำอธิบาย:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 59mA 2.69GHz 31.9dB 3.2W TO-270WB-17
ลักษณะ:IC TRANS RF LDMOS
พิกัดกระแส:-
ปัจจุบัน - การทดสอบ:59mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ A2I25D025NR1

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
PXAC243502FVV1XWSA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS การสอบสวน
BF244A_J35Z Fairchild/ON Semiconductor JFET N-CH 30V 50MA TO92 การสอบสวน
A2I25D025GNR1 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS การสอบสวน
A2I25H060GNR1 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS การสอบสวน
A2I25H060NR1 Image A2I25H060NR1 NXP USA Inc. IC RF LDMOS AMP การสอบสวน
MRFG35010NR5 Image MRFG35010NR5 NXP USA Inc. FET RF 15V 3.55GHZ การสอบสวน
BLL8H1214L-500U Image BLL8H1214L-500U Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A การสอบสวน
BLF4G20LS-130,112 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B การสอบสวน
BLC6G27-100,118 Ampleon USA Inc. RF FET 28V SOT895A การสอบสวน
BLA8G1011L-300U Image BLA8G1011L-300U Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A การสอบสวน
MRF6S19100NBR1 Image MRF6S19100NBR1 NXP USA Inc. FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4 การสอบสวน
ATF-58143-TR2G Image ATF-58143-TR2G Broadcom Limited FET RF 5V 2GHZ SOT-343 การสอบสวน
BLF8G27LS-150GVJ Image BLF8G27LS-150GVJ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C การสอบสวน
BLF6G27-45,135 Image BLF6G27-45,135 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608A การสอบสวน

ข่าว Latest