2SC5706-H - ON Semiconductor - ทรานซิสเตอร์ - Bipolar (BJT) - เดี่ยว 2SC5706-H

2SC5706-H

รุ่นผลิตภัณฑ์:: 2SC5706-H

ผู้ผลิต:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

ลักษณะ:: TRANS NPN 50V 5A TP

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 15068 Pieces

แผ่นข้อมูล:: 2SC5706-H.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ 2SC5706-H เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา 2SC5706-H ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ 2SC5706-H กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	50V
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic:	240mV @ 100mA, 2A
ประเภททรานซิสเตอร์:	NPN
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	TP
ชุด:	-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	800mW
บรรจุภัณฑ์:	Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ชื่ออื่น:	2SC5706-H-ND 2SC5706-HOS
อุณหภูมิในการทำงาน:	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:	Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:	2 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	2SC5706-H
ความถี่ - การเปลี่ยน:	400MHz
ขยายคำอธิบาย:	Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 5A 400MHz 800mW Through Hole TP
ลักษณะ:	TRANS NPN 50V 5A TP
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:	200 @ 500mA, 2V
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):	1µA (ICBO)
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	5A
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 2SC5706-H

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
2SC5706-TL-H	ON Semiconductor	TRANS NPN 50V 5A TP-FA	การสอบสวน
2SC5706-TL-E	ON Semiconductor	TRANS NPN 50V 5A TP-FA	การสอบสวน
2SA1416T-TD-E	ON Semiconductor	TRANS PNP 100V 1A SOT89-3	การสอบสวน
2SC5706-E	ON Semiconductor	TRANS NPN 50V 5A TP	การสอบสวน
2SC5707-E	ON Semiconductor	TRANS NPN 50V 8A TP	การสอบสวน
2SC5706-P-TL-E	ON Semiconductor	TRANS NPN 100V 5A	การสอบสวน
2SC5706-P-E	ON Semiconductor	TRANS NPN 100V 5A	การสอบสวน
2SC5707-TL-E	ON Semiconductor	TRANS NPN 50V 8A TP-FA	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest