ครอบครัวพร้อมแล้วสำหรับการใช้งานออนบอร์ดในปัจจุบันและอนาคต (OBC) ในรถยนต์ไฮบริดและไฟฟ้า Infineon ได้ออกแบบไดโอดโดยเฉพาะเพื่อตอบสนองความต้องการที่สูงของอุตสาหกรรมยานยนต์เกี่ยวกับความน่าเชื่อถือคุณภาพและสมรรถนะ

"เทคโนโลยี SiC ได้รับการพัฒนาให้มีขนาดใหญ่ในระบบยานยนต์แล้ว" Infanon Stephan Zizala กล่าว "การเปิดตัวไดโอด CoolSiC Schottky สำหรับรถยนต์เป็นก้าวสำคัญในการนำผลิตภัณฑ์ Infinon SiC ไปใช้กับอุปกรณ์ชาร์จแบบ on board, ตัวแปลง DC / DC และระบบอินเวอร์เตอร์ "

ตระกูลผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ตั้งอยู่บนไดรฟ์ Schottky Diode รุ่นที่ 5 ของ Infineon ซึ่งได้รับการปรับปรุงให้ดียิ่งขึ้นเพื่อตอบสนองความต้องการด้านความน่าเชื่อถือที่อุตสาหกรรมยานยนต์ต้องการ ด้วยแนวคิดใหม่ในการทำ passivation layer นี้เป็นอุปกรณ์ยานยนต์ที่มีประสิทธิภาพมากที่สุดในท้องตลาดเกี่ยวกับความชื้นและการกัดกร่อน

นอกจากนี้เนื่องจากเทคโนโลยี wafer ขนาด110μmนี้แสดงให้เห็นถึงรูปบุญที่ดีที่สุด (Qc x Vf) ในหมวดหมู่ รูปที่ต่ำกว่าของบุญหมายถึงการสูญเสียพลังงานที่ลดลงและทำให้ประสิทธิภาพทางไฟฟ้าดีขึ้น

เมื่อเทียบกับไดโอดซิลิคอนไดโอดแบบดั้งเดิมไดโอด CoolSiC Automotive Schottky สามารถปรับปรุงประสิทธิภาพของ OBC ได้ถึง 1 เปอร์เซ็นต์เมื่อเทียบกับสภาวะโหลดทั้งหมด นี้นำไปสู่การลดศักยภาพของ 200 กก. ของ CO ₂ การปล่อยก๊าซเรือนกระจกในช่วงอายุการใช้งานโดยทั่วไปของรถยนต์ไฟฟ้าโดยพิจารณาจากส่วนผสมด้านพลังงานของเยอรมัน

ต้นกำเนิดแรกจะสามารถใช้ได้สำหรับตลาดเปิดในกันยายน 2018 ในชั้น 650V การใช้แพ็คเกจมาตรฐาน 3-pinTO247 ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้สามารถใช้งานได้ง่ายในระบบ OBC สามารถใช้ร่วมกับผลิตภัณฑ์ TRENCHSTOP IGBT และ CoolMOS ของ Infineon ได้อย่างดีที่สุด