NE55410GR-T3-AZ - CEL - ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF NE55410GR-T3-AZ

NE55410GR-T3-AZ

รุ่นผลิตภัณฑ์:: NE55410GR-T3-AZ

ผู้ผลิต:: CEL (California Eastern Laboratories)

ลักษณะ:: FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 12995 Pieces

แผ่นข้อมูล:: NE55410GR-T3-AZ.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NE55410GR-T3-AZ เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NE55410GR-T3-AZ ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ NE55410GR-T3-AZ กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:	28V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:	65V
ประเภททรานซิสเตอร์:	LDMOS
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	16-HTSSOP
ชุด:	-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:	35.4dBm
บรรจุภัณฑ์:	Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	16-DFF, Exposed Pad
เสียงรบกวนเต็มตัว:	-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	NE55410GR-T3-AZ
ได้รับ:	13.5dB
ความถี่:	2.14GHz
ขยายคำอธิบาย:	RF Mosfet LDMOS 28V 20mA 2.14GHz 13.5dB 35.4dBm 16-HTSSOP
ลักษณะ:	FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP
พิกัดกระแส:	250mA, 1A
ปัจจุบัน - การทดสอบ:	20mA
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NE55410GR-T3-AZ

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
NE55410GR-AZ	CEL	FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP	การสอบสวน
CGHV22100F	Cree/Wolfspeed	FET RF 125V 2.2GHZ 440162	การสอบสวน
BLF6G27-10G,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C	การสอบสวน
PD55003S	STMicroelectronics	FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10	การสอบสวน
BF1100WR,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 14V 30MA SOT343R	การสอบสวน
BLC9G20LS-120VY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT12753	การสอบสวน
PXAC261002FCV1XWSA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	การสอบสวน
MRF6S19100HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest