ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF > NE5520379A-T1A-A
NE5520379A-T1A-A
NE5520379A-T1A-A
รุ่นผลิตภัณฑ์:
NE5520379A-T1A-A
ผู้ผลิต:
CEL (California Eastern Laboratories)
ลักษณะ:
FET RF 15V 915MHZ 79A-PKG
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18925 Pieces
แผ่นข้อมูล:
1.NE5520379A-T1A-A.pdf2.NE5520379A-T1A-A.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NE5520379A-T1A-A เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NE5520379A-T1A-A ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NE5520379A-T1A-A กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:3.2V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:15V
ประเภททรานซิสเตอร์:LDMOS
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:79A
ชุด:-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:35.5dBm
บรรจุภัณฑ์:Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:4-SMD, Flat Leads
ชื่ออื่น:NE5520379A-T1A-ADKR
เสียงรบกวนเต็มตัว:-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:NE5520379A-T1A-A
ได้รับ:16dB
ความถี่:915MHz
ขยายคำอธิบาย:RF Mosfet LDMOS 3.2V 915MHz 16dB 35.5dBm 79A
ลักษณะ:FET RF 15V 915MHZ 79A-PKG
พิกัดกระแส:1.5A
ปัจจุบัน - การทดสอบ:-
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NE5520379A-T1A-A

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
NE552R679A-T1A-A Image NE552R679A-T1A-A CEL FET RF 3V 460MHZ 79A-PKG การสอบสวน
BLF7G24L-100,112 Image BLF7G24L-100,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A การสอบสวน
PTAB182002TCV2XWSA1 Infineon Technologies IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4 การสอบสวน
PD84002 Image PD84002 STMicroelectronics FET RF 25V 870MHZ การสอบสวน
AFT27S006NT1 Image AFT27S006NT1 NXP USA Inc. FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W การสอบสวน
NE552R679A-A Image NE552R679A-A CEL FET RF 3V 460MHZ 79A-PKG การสอบสวน
PXAC260622SCV1R250XTMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS การสอบสวน
MRF5S9070NR1 Image MRF5S9070NR1 NXP USA Inc. FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 การสอบสวน
BF1215,115 NXP USA Inc. FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP การสอบสวน
BLF188XRGJ Image BLF188XRGJ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 135V 24DB SOT1248C การสอบสวน
MRF6S24140HR3 Image MRF6S24140HR3 NXP USA Inc. FET RF 68V 2.39GHZ NI-880 การสอบสวน
BLF6G20-230PRN,112 Image BLF6G20-230PRN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A การสอบสวน
PTFA210601EV4XWSA1 Image PTFA210601EV4XWSA1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2 การสอบสวน
BLF8G24LS-100VJ Image BLF8G24LS-100VJ Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B การสอบสวน

ข่าว Latest