ซื้อ MRF6V12250HSR3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
MRF6V12250HSR3
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MRF6V12250HSR3
- ผู้ผลิต:
- NXP Semiconductors / Freescale
- ลักษณะ:
- FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 12098 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- MRF6V12250HSR3.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ MRF6V12250HSR3 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา MRF6V12250HSR3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 50V |
|---|---|
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 100V |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | LDMOS |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | NI-780S |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท: | 275W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | NI-780S |
| เสียงรบกวนเต็มตัว: | - |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | MRF6V12250HSR3 |
| ได้รับ: | 20.3dB |
| ความถี่: | 1.03GHz |
| ขยายคำอธิบาย: | RF Mosfet LDMOS 50V 100mA 1.03GHz 20.3dB 275W NI-780S |
| ลักษณะ: | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S |
| พิกัดกระแส: | - |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MRF6V12250HSR3
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF6V12500HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-1230H | การสอบสวน |
 |
MRF6V12500HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H | การสอบสวน |
|
MRF6V12250HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 | การสอบสวน |
|
MRF6V10250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.09GHZ NI780S | การสอบสวน |
|
MRF6V12250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | การสอบสวน |
|
MRF6V12250HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 | การสอบสวน |
|
MRF6V12500HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H | การสอบสวน |
|
MRF6V12500HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI780HS | การสอบสวน |
|
MRF6V13250HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI780S | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers