ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > IXTH1N300P3HV
IXTH1N300P3HV
IXTH1N300P3HV
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXTH1N300P3HV
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปลอดสารตะกั่วโดยการยกเว้น / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
12712 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXTH1N300P3HV.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXTH1N300P3HV เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXTH1N300P3HV ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXTH1N300P3HV กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-247HV
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:50 Ohm @ 500mA, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):195W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3 Variant
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:14 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXTH1N300P3HV
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:895pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:30.6nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 3000V (3kV) 1A (Tc) 195W (Tc) Through Hole TO-247HV
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):3000V (3kV)
ลักษณะ:2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:1A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXTH1N300P3HV

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IXTH1N200P3 Image IXTH1N200P3 IXYS MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247 การสอบสวน
IXTH102N15T Image IXTH102N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 การสอบสวน
IXTH1N450HV Image IXTH1N450HV IXYS 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR การสอบสวน
IXTH12N90 Image IXTH12N90 IXYS MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 การสอบสวน
IXTH140P10T Image IXTH140P10T IXYS MOSFET P-CH 100V 140A TO-247 การสอบสวน
IXTH12N100 Image IXTH12N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 การสอบสวน
IXTH12N100Q Image IXTH12N100Q IXYS MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 การสอบสวน
IXTH12N120 Image IXTH12N120 IXYS MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 การสอบสวน
IXTH110N10L2 Image IXTH110N10L2 IXYS MOSFET N-CH 100V 110A TO-247 การสอบสวน
IXTH160N10T Image IXTH160N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 160A TO-247 การสอบสวน
IXTH12N65X2 Image IXTH12N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 12A TO-247 การสอบสวน
IXTH10P50P Image IXTH10P50P IXYS MOSFET P-CH 500V 10A TO-247 การสอบสวน
IXTH102N20T Image IXTH102N20T IXYS MOSFET N-CH 200V 102A TO-247 การสอบสวน
IXTH14N100 Image IXTH14N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 การสอบสวน
IXTH102N25T Image IXTH102N25T IXYS MOSFET N-CH 250V 102A TO-247 การสอบสวน
IXTH10N100D2 Image IXTH10N100D2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247 การสอบสวน
IXTH10P50 Image IXTH10P50 IXYS MOSFET P-CH 500V 10A TO-247AD การสอบสวน
IXTH16N50D2 Image IXTH16N50D2 IXYS MOSFET N-CH 500V 16A TO-247 การสอบสวน
IXTH16N20D2 Image IXTH16N20D2 IXYS MOSFET N-CH 200V 16A TO-247 การสอบสวน
IXTH150N17T Image IXTH150N17T IXYS MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 การสอบสวน

ข่าว Latest