HN4C06J-BL(TE85L,F - Toshiba Semiconductor and Storage - ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อาร์เรย์ HN4C06J-BL(TE85L,F

HN4C06J-BL(TE85L,F

รุ่นผลิตภัณฑ์:: HN4C06J-BL(TE85L,F

ผู้ผลิต:: Toshiba Semiconductor

ลักษณะ:: TRANS 2 NPN 120V 100MA SC74A

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 19166 Pieces

แผ่นข้อมูล:: HN4C06J-BL(TE85L,F.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ HN4C06J-BL(TE85L,F เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา HN4C06J-BL(TE85L,F ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ HN4C06J-BL(TE85L,F กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	120V
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic:	300mV @ 1mA, 10mA
ประเภททรานซิสเตอร์:	2 NPN (Dual) Common Emitter
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	SMV
ชุด:	-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	300mW
บรรจุภัณฑ์:	Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	SC-74A, SOT-753
ชื่ออื่น:	HN4C06J-BL(TE85LFTR
อุณหภูมิในการทำงาน:	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:	Surface Mount
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:	14 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	HN4C06J-BL(TE85L,F
ความถี่ - การเปลี่ยน:	100MHz
ขยายคำอธิบาย:	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Common Emitter 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
ลักษณะ:	TRANS 2 NPN 120V 100MA SC74A
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:	200 @ 2mA, 6V
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):	100nA (ICBO)
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	100mA
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ HN4C06J-BL(TE85L,F

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
PUMZ2,125	Nexperia USA Inc.	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6TSSOP	การสอบสวน
2N6990	Microsemi Corporation	TRANS 4NPN 50V 0.8A	การสอบสวน
ZDT619TA	Diodes Incorporated	TRANS 2NPN 50V 2A SM8	การสอบสวน
ZDT749TA	Diodes Incorporated	TRANS 2PNP 25V 2A SM8	การสอบสวน
PBSS5160PAP,115	Nexperia USA Inc.	TRANS 2PNP 60V 1A 6HUSON	การสอบสวน
BC856S/ZLX	Nexperia USA Inc.	TRANSISTOR	การสอบสวน
MBT3946DW1T1G	ON Semiconductor	TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest