HN3C51F-GR(TE85L,F
HN3C51F-GR(TE85L,F
รุ่นผลิตภัณฑ์:
HN3C51F-GR(TE85L,F
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor
ลักษณะ:
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18199 Pieces
แผ่นข้อมูล:
HN3C51F-GR(TE85L,F.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ HN3C51F-GR(TE85L,F เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา HN3C51F-GR(TE85L,F ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ HN3C51F-GR(TE85L,F กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):120V
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA
ประเภททรานซิสเตอร์:2 NPN (Dual)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SM6
ชุด:-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:300mW
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SC-74, SOT-457
ชื่ออื่น:HN3C51F-GR(TE85L,F)
HN3C51F-GR(TE85LF)TR
HN3C51F-GR(TE85LF)TR-ND
HN3C51F-GR(TE85LFTR
HN3C51F-GRTE85LF
HN3C51FGR(TE85LFTR
HN3C51FGR(TE85LFTR-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:HN3C51F-GR(TE85L,F
ความถี่ - การเปลี่ยน:100MHz
ขยายคำอธิบาย:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
ลักษณะ:TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:200 @ 2mA, 6V
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):100nA (ICBO)
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):100mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ