DMN2023UCB4-7
รุ่นผลิตภัณฑ์:
DMN2023UCB4-7
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
ลักษณะ:
MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
15047 Pieces
แผ่นข้อมูล:
DMN2023UCB4-7.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ DMN2023UCB4-7 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา DMN2023UCB4-7 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ DMN2023UCB4-7 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:-
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:X1-WLB1818-4
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:1.45W
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:4-XFBGA, WLBGA
ชื่ออื่น:DMN2023UCB4-7DITR
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:DMN2023UCB4-7
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:-
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:29nC @ 4.5V
ประเภท FET:2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติ FET:Logic Level Gate
ขยายคำอธิบาย:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1.45W Surface Mount X1-WLB1818-4
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):-
ลักษณะ:MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:-
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ